應(yīng)用領(lǐng)域：

本裝置是磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，該系統(tǒng)兼容直流和射頻濺射源，可濺射金屬、非金屬及化合物薄膜 ( 如：ITO) 等；廣泛應(yīng)用于科研院所、實(shí)驗(yàn)室制備單層或多層薄膜，以及新材料、新工藝研究。 本裝置系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊，系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)可擴(kuò)展性高，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，進(jìn)一步優(yōu)化您的實(shí)驗(yàn)室利用空間；適合擺放于工作臺(tái)面上。

基本配置：

◆真空腔室：Φ250 mm(ID) x 250 mm(H) 

◆真空系統(tǒng)：機(jī)械泵 + 分子泵兩級(jí)真空系統(tǒng) 前級(jí)泵：VRD-16 機(jī)械泵，抽速：4L/S ；主抽泵：分子泵，抽氣速率：300L/S 主抽閥：CC-100 超高真空手動(dòng)插板閥， 可調(diào)節(jié)分子泵抽速，有利于穩(wěn)定工藝氣壓。 

◆極限真空：<5×10-5Pa 

◆恢復(fù)真空：<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆真空測(cè)量：“兩低一高” 數(shù)顯復(fù)合真空計(jì) 

◆濺 射 源：最多 2×2 英寸磁控靶 

◆濺射電源：直流 (500W ) 一臺(tái)（標(biāo)配） 

◆進(jìn)氣系統(tǒng)：一路 MFC 控制的工藝氣路（Ar） 

◆樣品臺(tái)：可容納樣品最大尺寸：3 英寸樣品托一個(gè) , 配擋板，轉(zhuǎn)速 0-30rpm 連續(xù)可調(diào) ; 樣品可加熱控溫， 溫度范圍：室溫 -300℃，控溫精度 ±0.5℃； 

◆系統(tǒng)控制：10 英寸觸摸屏 +PLC 控制

選擇配置：

◆樣品臺(tái)可水冷，采用直接式水冷形式，水冷不控溫 

◆全量程真空計(jì)（ Inficon） 

◆電容式隔膜真空計(jì) ( 測(cè)量濺射工作壓力 ) 

◆射頻電源（RF）300W（可選） 

 系統(tǒng)要求標(biāo)準(zhǔn)配置： 

◆工藝氣體 :25psi，純度 99.99% 以上 

◆工藝氣體（Ar） ◆工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮?dú)?/span> 

◆電 源 : 單相 220V , 50Hz, 16A 

 ◆冷 凍 水 :18-25℃ , 1L/min，壓力 < 0.4MPa